바이오스 셋업 프로그램의 메뉴 내용 알아보기 II - M.I.T
메인보드의 지능적 트위커를 의미하는 M.I.T (MB Intelligent Tweaker) 메뉴 화면에는
시스템의 성능 설정과 관련된 옵션들이 집약되어 있다. 오버클러킹의 설정도 본 메뉴에서 하면 된다.
하이엔드 메인보드의 바이오스는 대부분 시스템의 세부 성능을 설정할 수 있는 기능을 제공하는데,
메인보드의 바이오스에 따라 메뉴 이름은 조금씩 차이가 있다.
예를 들어 ASUS는 인공지능 트위커를 의미하는 AI Tweaker 메뉴에, AS ROCK은 OC Tweaker 메뉴에
시스템 성능 설정 기능들이 집약되어 있다.
시스템 성능 설정의 핵심은 '트위커'라는 말에서 연상할 수 있듯이, 시스템 성능을 고무줄을 늘리듯이
조절하는 오버클러킹이라 할 수 있다.
오버클러킹을 CPU에게 더 많은 일을 시키려는 것이고, 그러려면 그만큼 밥을 많이 먹여야 한다.
CPU가 먹는 밥은 전기이므로 시스템이 사용자가 설정한 오버클러킹 환경에서 정상적으로 동작할 수
있는냐의 여부는 안정적인 전압의 제공, 전압 상승에 따른 발열을 효과적으로 줄여주는 냉각,
전압 상승을 잘 지탱해주는 메인보드 전원부 등 시스템 구성이 조화를 이뤄야 한다.
무턱대고 오버클러킹을 하면, 과전압이 발생되어 CPU나 메모리, 메인보드 손상이나 유효 수명을
단축할 수 있기 때문에 주의가 필요하다.
▶ M.I.T Current Status 화면 ◀
CPU의 클럭 배수(Clock Ratio)와 버스클럭(BCLK), 동작 속도, 코어 온도, 메모리 동작 속도와 용량, 램 타이밍 등
현재의 바이오스 셋업 설정 상태에서 시스템의 각종 상태를 한눈에 알아볼 수 있도록 나타내어 준다.
☞ BCLK
현재의 베이스 클럭(Base Clock) 상태를 나타낸다. 이 시스템의 기본값인 BCLK값은 100MHz 이다.
본 시스템은 100.31MHz로 표시되는데, 이는 현재 작동 상태에서의 실시간 클럭값이기 때문이다.
다른 장치의 클럭 속도, 전압, 온도, 냉각팬의 속도 실시간 측정값으로 표시된다.
CPU의 동작 속도는 클럭 배수에 베이스 클럭을 곱한 값으로 결정된다.
☞ Memory Frequency
메모리 속도를 나타낸다.
메모리의 기본 사양은 1600MHz 제품으로 현재 실시간 측정 속도는 1605.06MHz임을 알 수 있다.
☞ Turbo Ratio/Non-Turbo Ratio/Turbo Frequency/Non-Turbo Frequency
터보 부스트 클럭 배율과 속도를 나타낸다.
현재 4코어로된 CPU의 클럭 배수는 33이고, 터보 부스트 클럭 배수는 36이다. 베이스 클럭 100.31MHz에
33배수를 곱하면 3310.23MHz의 성능이 발휘되며, 터보 부스트 클럭에서는 36배수로 작동하므로
3611.16MHz로 작동한다.
CPU에서 사용하는 코어 수에 따라 터보 부스트 클럭 배수가 달라지는데, 인텔 코어 i2500K(샌디브릿지) CPU는
기본 36배수를 지원한다.
☞ Core Temperature
CPU의 각 코어의 온도를 나타낸다.
인텔 코어 i5 2500K (샌디브릿지) CPU는 네 개의 코어를 지원하므로 네 개 코어의 실시간 온도가 표시된다.
CPU 오버클러킹을 통해 그만큼 CPU가 많은 일을 하게 하려면 전압을 높여주어야 하는데, 전압을 높일수록
그만큼 온도가 상승한다.
오버클러킹을 할 때는 바로 코어의 온도도 반드시 체크할 필요가 있다.
☞ DIMM(s)/Installed Size/Total Size
DIMM(s)은 양면 방식의 메모리를 지칭한다.
Installed Size는 설치된 메모리 크기로 현재 1번과 2번 슬롯에 각각 4096MB(4GB)의 메모리가 설치되어
있으며, 총 메모리 크기는 8192MB(8GB)임을 나타낸다.
☞ Memory Channel A/B
메모리 채널을 나타낸다.
CPU와 메인보드가 듀얼 채널 메모리를 지원하므로 메모리 채널 A와 B가 표시된다.
오버클러킹 시에는 메모리 램 타이밍을 조절하기도 하는데, 주로 tCL, tRCD, tRP, tRAS 값을 수정하여
램 타이밍을 조절한다.
메모리 주소는 행렬 매트릭스 방식으로 주소를 매핑하는데, 램 타이밍이란 메모리의 특정 주소에 있는
명령을 찾는 타이밍을 말한다.
tCL, tRCD, tRP, tRRAS 값은 나노세컨드(ns) 단위이므로 숫자가 적을수록 빠른 값을 의미한다.
≫ tCL : CAS Latency Time을 의미하며, 읽어들인 행의 열주소를 찾기까지 지연되는 대기 시간으로
메모리 제품 사양에 CL7, CL9으로 표시된다. 단위는 nano second이므로 CL7이 CL9보다 2ns 정도 빠르다.
≫ tRCD : RAS-to-CAS Delay로 행 주소(Row Address Strobe)에서 열 주소(Column Address Strobe) 사이의
주소 센서의 충전 사이클이다. 주소값을 유지하려면 방전되기 전에 충전되어야 한다.
≫ tRP : RAS Prechange time의 약자로 쓰며 행 주소 셀의 충전 사이클로 방전되기전에 주소 정보를
유지할 수 있도록 하는 메모리 리프레시 사이클이다.
≫ tRAS : Row Address Strobe time을 의미하며 행 주소의 셀들을 읽어들이는 신호의 타이밍이다.
램 타이밍은 하나의 뱅크에서 정보를 찾는 시간이며, Command Rate(tCMD)는 채널 A에서 B에 있는
정보를 찾는 주기로 보통 1이나 2를 사용한다. 램 타이밍 설정은 메모리 오버클러킹 설정 중에서
고급 단계라고 할 수 있는데, 보통 램 타이밍 설정은 메모리 속도를 고려하여 조절한다.
메모리 속도를 높일려면 램 타이밍을 처음부터 빠르게 하는 게 아니라 느슨하게 풀었다가 조이는 방법으로 설정한다.
