레노버 씽크패드 T460S SSD 및 메모리 업그레이드 (Lenovo Thinkpad T460S Ultrabook - SSD & Memory 업그레이드)

 

이번 작업은 레노버 씽크패드 T460S Ultrabook 모델을 분해해서 구성 부품 및 SSD와 메모리 업그레이드 방법에 대해 알아봅니다.

 

다음은 해당 모델의 기본 사양입니다.

 

모델명 : LenovoThinkPad T460S 
CPU : Intel Core i5-6200U Processor (3MB Cache, up to 2.80GHz) 
그래픽 : Intel HD Graphics 520
디스플레이 : 14.0" FHD (1920 x 1080) Multitouch 
메모리 : 8GB DDR4 2133 MHz (최대 20GB)
저장장치 : 256GB SSD OPAL2.0 (Drive form factor : M.2 / Interface : SATA/PCIe)
오디오 : Dolby Home Theater v4
배터리 : 10 Hours
치수 (W x D x H) : 331 x 226.8 x 16.9 - 18.8 (mm)
무게 : 1.3 kg
Webcam : 720p HD Camera
입/출력 포트 : RJ45,Mini DisplayPort, HDMI, 4-in-1 Card Reader, Headphone/Microphone
네트워크 : Intel Dual Band Wireless-AC 8260 (2x2), Bluetooth 4.1

 

키보드 키 G,H 사이에 버튼이 하나 있습니다. 이것은 IBM 씽크패드 특유의 버튼으로 마우스 커서를 움직일 수 있지요.

레노버가 IBM PC 사업부를 인수하여 본 기능도 계속 적용하고 있네요.

먼저 본 노트북을 해체하려면 노트북 하단부에 있는 다섯 개의 스크류와 한 개의 자물쇠(?)를 열어야 합니다.

시계 반대방향으로 돌리면 자물쇠가 풀리지요.

 

노트북 상판과 하판사이에 조그마한 도구를 넣어 공간을 벌린 후 조금씩 지렛대 작용으로 하판을 분리하면 됩니다.

노트북 하판을 분리한 상태입니다.

다른 회사 모델과 별반 다를 바 없으나 특이하게도 배터리를 두 개 장착했군요.

아마 배터리 용량을 늘리려고 한 것 같은데 동일한 사이즈가 아니라 흠아닌 흠이네요.

노트북 하판 안쪽 이미지입니다.

 

아래쪽 배터리입니다. 용량은 1920mAh 24Wh입니다.

 

윗쪽에 위치하고 있는 또 하나의 배터리로 2130mAh 26Wh의 용량을 갖고 있습니다.

 

CPU 쿨링팬은 청소를 위해 분리한 상태입니다. 

자주는 아니지만 노트북 사용시 소음이 나기 시작한다면 쿨링팬에 먼지가 쌓여 있는 것이므로 반드시 제거해야 합니다.

청소해 주지 않으면 팬이 돌아가지 않아 CPU 및 노트북 동작에 심각한 사태(?)가 초래될 수 있지요.

 

CPU 다이 부분에 Grease를 도포한 상태입니다. 

보시다시피 CPU는 메인보드에 납땜된 상태이므로 교체 및 변경이 불가합니다.

 

CPU의 열을 식히는 역할을 하고 있지요. 각 부품에 비해 비중은 높지 않으나 나름대로 중요한 기능을 하고 있는 쿨링팬 assy입니다.

 

무선 네트워킹을 담당하는 Wireless 모듈입니다.

Wireless 프로토콜은 802.11a/b/g/n/ac, Bluetooth 4.1이며 Wireless 컨트롤러는 인텔 Dual Band Wireless-AC 8260 (M.2 Card)입니다.

 

노트북 왼쪽 부분에 위치하고 있는 입/출력 포트입니다. 전원 잭과 USB 포트입니다.

노트북 내부 스피커입니다. (Left 출력을 담당합니다.)

 

노트북 내부 스피커입니다. (Right 출력을 담당합니다.)

 

저장장치입니다. M.2 256GB SSD이며 인터페이스는 SATA/PCIe입니다.

왼쪽 작은 스크류를 풀고 SSD 업그레이드를 하면 되겠습니다.

 

WWAN을 위한 M.2 소켓입니다. (옵션 기능이지요.)
이것은 UMTS/HSPA/LTE 모바일 인터넷 연결을 위한 네트워크 모듈을 장착하기 위한 소켓입니다.

 

노트북 오른쪽에 위치하고 있는 입/출력 포트입니다.

USB 3.0, HDMI, Mini DisplayPort, LAN 잭입니다.

 

메모리 소켓입니다. 기본적으로 DDR4 SDRAM 4GB RAM은 메인보드에 장착되어 있습니다. 

최대 20GB를 지원하므로 소켓에는 16GB 메모리를 더 추가할 수 있지요.

기본 스펙은 DDR4 SDRAM SO-DIMM 260 pins에 속도는 2133 MHz이며 PC4-17000가 사용됩니다.

 

이상으로 레노버 씽크패드 T460S 모델의 SSD 및 메모리 업그레이드 방법을 알아보았습니다.

Cold Booting시 발생하는 오류는 무엇인가?


부팅할 때 나타나는 오류 메시지가 표시되는 원인을 알면 

오류가 발생해도 바로 해결책을 찾을 수 있다.


<CMOS 셋업 관련 오류>





CMOS 셋업의 내용을 저장하는 NVRAM (Non-Volatile Memory)은 전원이 공급되지 않아도 

저장된 정보를 유지할 수 있다.

NVRAM에 이상이 있거나 CMOS 셋업에서 설정한 내용에 문제가 있는 경우 다음과 같은 메시지가 나타난다.



<메모리 관련 오류>





메모리가 불량일 경우 다음과 같은 오류 메시지가 나타난다.

메모리를 시스템에서 제거하거나 추가하지 않아도 다음과 같은 메시지가 나타나면 메모리 불량이다.


Memory Size Decreased, Memory Size Increased, Memory Size Changed

On Board Parity Error, Off Board Parity Error

Parity Error


<하드디스크 관련 오류>



하드디스크 컨트롤러나 연결상태, CMOS 셋업에 저장된 하드디스크 정보, 

설정 옵션 등이 잘못된 경우에 나타나는 오류 메시지이다.



<키보드 관련 오류>



다음과 같은 오류 메시지가 나타나는 경우 가장 먼저 컴퓨터 본체에 키보드가 제대로 연결되어 있는지 

확인해야 한다.

키보드가 제대로 연결되었더라도 사용자의 실수, 혹은 물건 등에 의해 특정 글쇠가 눌린 경우가 있다.

F1 key나 Reset 버튼을 눌러 컴퓨터를 다시 시작한다.



<운영체제를 찾을 수 없는 경우>





부팅 장치를 찾을 수 없을 때 다음과 같은 오류 메시지가 나타난다.

CMOS 셋업에서 부팅 장치가 올바르게 설정되지 않았거나 부팅에 필요한 하드디스크의 시스템 영역이 

손상된 경우, 하드디스크 자체에 문제가 있는 경우에 나타난다.



가상머신을 이용하여 macOS Sierra 10.12 사용하기 III


가상머신프로그램(VMware Workstation)을 Windows 10에 설치한 다음 macOS Sierra 10.12를 

사용하기 위해 몇가지 설정이 필요하다.

가상 머신을 열어 왼쪽 상단에 "Edit virtual machine settings"를 클릭한다.


["Open a Virtual Machine"을 클릭한 후 첫 화면]

가상머신 설정을 한다.


[Hardware 탭]
하드웨어탭에서 Memory와 Processors를 각각 "4"로 설정한다.


[Hardware 탭]

기존에 등록되어 있는 "Hard Disk (SCSI)"를 삭제하고 "Add"를 클릭하여 HDD를 추가한다.


[Hardware 탭]

"SATA"를 선택한다.


[Hardware 탭]
두번째 항목 ("Use an existing virtual disk")을 선택한다.


다음은 "Options" 탭을 클릭한다.


[Options 탭]

"General" 항목을 선택하여 오른쪽 Guest operating system의 리스트중 "Apple Mac OS X"를 선택한다.


모든 설정이 끝나면 Windows 10내 설치된 가상머신에 macOS Sierra 10.12를 마운트하는 작업을 한다.

로그파일의 생성여부를 묻는다. OK


WMware 작업중....


USB에 연결된 장치가 인식되었다.


macOS Sierra 10.12 로딩중....


Windows 10에서 macOS Sierra 10.12를 사용할 수 있다.


Mac OS에 포함된 검색프로그램으로 네이버에 접속해 봤다.






램 (RAM) 종류 및 노치(홈) 위치 비교


램 규격은 DDR 규격과 SD 규격이 있다. 

이전 세대의 PC (주로 펜티엄 PC)는 SD 규격의 램을 사용하였고, 

DDR 규격은 1997년 삼성에 의해 발표된 새로운 규격이다.

기본적으로 DDR램은 SD램에 비해 데이터 처리속도가 2배 이상 빠르고 DDR램보다 

빠른 램은 DDR2, DDR2보다 빠른 램은 DDR3이며 DDR3보다 빠른 램은 DDR4이다.

현재의 PC (샌디브리지급)는 대부분 DDR3 규격만 장착 가능하고 SD램은 장착할 수 없다.


1. 램 (RAM) 종류 및 규격


1.1 DDR1 1GB DDR400 PC3200


1.1.1 부품 특성 


Type : DDR1 SDRAM

Form Factor : DIMM Desktop Memory

Number of Pins : 180 Pin

Bus Speed : PC3200 DDR-400

Capacity per Module : 1GB

Cache Latency : CL2.5

Voltage : 2.5V

Non-ECC,Non-Registered,Unbuffered


1.1.2 DDR SDRAM (DDR1) DIMMs 규격


ChipModuleMemory ClockI/O Bus ClockTransfer rateVoltage
DDR-200PC-1600100 MHz100 MHz200 MT/s2.5 V
DDR-266PC-2100133 MHz133 MHz266 MT/s2.5 V
DDR-333PC-2700166 MHz166 MHz333 MT/s2.5 V
DDR-400PC-3200200 MHz200 MHz400 MT/s2.5 V

1.2 DDR2 2GB DDR2-800 PC2-6400


1.2.1 부품특성


Type : DDR2 SDRAM

Form Factor: DIMM Desktop Memory

Number of Pins:240 Pin

Bus Speed:PC2-6400 DDR2-800MHz

Brand : Kingston

Capacity per Module: 2GB

Cache Latency: CL6

Voltage:1.8V

Non-Ecc,Non-Registered,Unbuffered


1.2.2 DDR2 SDRAM DIMMs 규격

ChipModuleMemory ClockI/O Bus ClockTransfer rateVoltage
DDR2-400PC2-3200200 MHz200 MHz400 MT/s1.8 V
DDR2-533PC2-4200266 MHz266 MHz533 MT/s1.8 V
DDR2-667PC2-5300333 MHz333 MHz667 MT/s1.8 V
DDR2-800PC2-6400400 MHz400 MHz800 MT/s1.8 V
DDR2-1066PC2-8500533 MHz533 MHz1066 MT/s1.8 V


1.3 DDR3 2GB DDR3-1333 PC3-10600


1.3.1 부품특성


Type : DDR3 SDRAM

Form Factor : DIMM Desktop Memory

Number of Pins : 240 Pin

Bus Speed : PC3-10600 DDR3-1333MHz

Brand : Hynix

Capacity per Module : 2GB

Cache Latency : CL9

Voltage : 1.5V

Non-ECC,Non-Registered,Unbuffered


1.3.2 DDR3 SDRAM DIMMs 규격

ChipModuleMemory ClockI/O Bus ClockTransfer rateVoltage
DDR3-800PC3-6400400 MHz400 MHz800 MT/s1.5 V
DDR3-1066PC3-8500533 MHz533 MHz1066 MT/s1.5 V
DDR3-1333PC3-10600667 MHz667 MHz1333 MT/s1.5 V
DDR3-1600PC3-12800800 MHz800 MHz1600 MT/s1.5 V
DDR3-1866PC3-14900933 MHz933 MHz1866 MT/s1.5 V
DDR3-2133PC3-170001066 MHz1066 MHz2133 MT/s1.5 V
DDR3-2400PC3-192001200 MHz1200 MHz2400 MT/s1.5 V


1.4 DDR4 4GB DDR4-2400 PC4-19200


1.4.1 부품특성


Type : DDR4 SDRAM

Form Factor : DIMM Desktop Memory

Number of Pins : 288 Pin

Bus Speed : PC4-19200 DDR4-2400MHz

Brand : Crucial

Capacity per Module : 4GB

Cache Latency : CL17

Voltage : 1.2V

Non-ECC,Non-Registered,Unbuffered


1.4.2 DDR4 SDRAM DIMMs 규격

ChipModuleMemory ClockI/O Bus ClockTransfer rateVoltage
DDR4-1600PC4-12800800 MHz800 MHz1600 MT/s1.2 V
DDR4-1866PC4-14900933 MHz933 MHz1866 MT/s1.2 V
DDR4-2133PC4-170001066 MHz1066 MHz2133 MT/s1.2 V
DDR4-2400PC4-192001200 MHz1200 MHz2400 MT/s1.2 V
DDR4-2666PC4-213001333 MHz1333 MHz2666 MT/s1.2 V
DDR4-3200PC4-256001600 MHz1600 MHz3200 MT/s1.2 V

2. 램 (RAM) 노치(홈) 위치별 비교



DDR1의 노치(홈) 길이는 약 7.3cm이며

DDR2는 약 7.1cm이며

DDR3는 약 5.5cm 이며

DDR4는 약 7.2cm 이다.

RAM에 데이터를 어떻게 기록하는가

 

소프트웨어는 운영체제와 함께 동작해 램(RAM) 칩에 에칭된 전도성 물질의 미세한 가닥인 주소 라인 (address line)을 따라 전기를 보낸다. 각 주소 라인은 칩 안에 데이터를 저장할 수 있는 곳의 위치를 알아낸다. 전기가 가득차면 RAM 칩의 수많은 주소 라인 중에 어디에 데이터를 기록할지 판별한다.

 

전기 펄스는 데이터를 저장할 수 있는 RAM 칩에서 각 메모리 위치에 있는 데이터 라인(data line)과 연결된 트랜지스터를 켠다(닫음). 트랜지스터는 본래 아주 작은 전기 스위치이다.

 

트랜지스터가 켜져 있으면 소프트웨어는 선택된 데이터 라인을 따라 전기 신호를 보낸다. 각 신호는 1 비트를 나타낸다. 1 비트와 0비트는 컴퓨터가 처리하는 정보의 가장 기본적인 단위인 프로세서의 언어를 구성한다.

 

트랜지스터가 켜져 있는 주소 라인으로 전기 펄스가 도달하면 펄스는 닫혀 있는 트랜지스터를 통해 흐르고 전기를 저장하는 전자 장치인 커패시터를 충전한다. 이 과정은 커패시터의 충전이 다시 시작 될 때까지 계속 반복되는데 그렇지 않을 경우 전기가 누출된다. 컴퓨터의 전원을 끄면 커패시터는 모두 방전된다. 주소 라인에 있는 각각의 커패시터는 1비트를 나타낸다. 충전되지 않은 커패시터는 0비트를 나타낸다. 컴퓨터는 1비트와 0비트를 이진수로 사용하여 글자와 이미지 등 모든 정보를 저장하고 처리한다.

RAM칩에 있는 8개의 스위치가 있을 때 각각의 스위치는 트랜지스터와 커패시터로 되어 있다. 트랜지스터의 닫힘과 열림을 조합하면 ASCII 표기법에서 대문자 A를 표시하는 이진수 01000001을 나타낸다. 주소 라인에 있는 8개의 커패시터 중 첫 번째 커패시터는 충전되지 않고(0), 두 번째 커패시터는 충전되고(1), 그 다음 5개의 커패시터는 충전되지 않고(0000), 8번째 커패시터는 충전된다(1).

 

RAM으로부터 어떻게 데이터를 읽어오는가?

RAM에 저장되어 있는 데이터를 읽으려면 또다른 전기 펄스를 주소 라인으로 전송하고 다시 한 번 여기에 연결된 트랜지스터를 닫는다.

 

전하를 보유한 커패시터가 있는 모든 주소 라인에서 닫힌 트랜지스터가 만드는 회로를 통해 커패시터는 방전되고, 데이터 라인으로 전기 펄스를 보낸다.

 

소프트웨어는 펄스가 어느 데이터 라인에서 오는지 인식하고 각 펄스를 1로 해석한다. 펄스를 전송하지 않는 라인은 모두 0으로 해석한다. 8개의 데이터 라인에서 만들어지는 10의 조합이 1바이트(byte)의 데이터를 만든다.

 

칩이 더 많은 데이터를 이동시키는 방법

메모리가 얼마나 빨리 데이터를 공급하는지에 따라 가장 빠른 프로세서로 제약을 받는다. 원래 데이터를 더 많이 공급하는 방법은 클럭 속도 (clock speed)를 높이는 것이다. 여기에 설명된 SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory) 메모리는 프로세서의 클럭 조절 동작과 메모리 데이터 이동의 매 주기(cycle) 또는 매 틱(tick)마다 값을 저장하거나 프로세서로 향하는 데이터 버스로 값을 이동시킬 수 있었다. 그러나 프로세서의 속도가 빨라져 RAM의 속도를 능가하자 메모리는 다음과 같은 두 가지 방법으로 그 격차를 좁혔다.

 

한 가지 방법은 DDR(Double Data Rate)이다. 예전에는 클럭의 각 주기(cycle)마다 비트를 기록하거나 읽었다. 이것은 마치 시카고에서 뉴욕으로 가는 기차에 누군가가 짐을 싣고(데이터 기록), 그 짐을 내린(데이터 읽기) 다음, 돌아가는 길에 실을 수 있는 새로운 짐이 뉴욕에 있음에도 불구하고 빈 기차를 시카고 되돌려 보내는 것과 같다. DDR을 사용하면 기차가 뉴욕에 도착할 때 짐을 내릴 수 있고 시카고로 돌아가기 전에 새로운 짐을 실을 수 있다. 이렇게 하면 기차는 같은 시간에 두 배의 트래픽(데이터)을 처리한다. 짐을 싣고 내리는 사람을 메모리 컨트롤러(memory controller), 기차의 왕복 주기를 클럭 사이클 (clock cycle)로 대신하는 것이 DDR이다.

 

또 다른 방법인 DDR2는 다른 방식을 사용해 데이터 전송 속도를 두 배로 늘렸다. DDR2는 메모리의 내부 클럭 속도를 데이터 버스(data bus) 속도의 절반으로 줄였다. DDR2DDR3, DDR4로 빠르게 발전햐였고,. 각각 이전 버전에 비해 프로세서의 클럭 속도를 절반으로 줄였다. 메모리 소도를 줄임으로써 RAM의 전기 사용량을 줄인 부가적인 효과도 얻었다. 월별 전기 요금을 현저히 줄인다기보다는 작동이 잘 되고 안정적인 메모리칩을 얻은 것이다.

 


메모리(RAM)에 대해 자세히 알아보자

 

용량

메모리 용량은 1개의 RAM 제공하는 저장 용량을 뜻한다. 단위는 GB이며 2배수 단위로 올라가서 용량이 1GB, 2GB, 4GB 식으로 상승하게 된다.
컴퓨터를 조립식으로 꾸밀 메모리 용량을 크게 잡게 된다.
이유는 메모리의 용량이 크면 클수록 컴퓨터 속도가 빨라지기 때문이다.
메모리 용량이 부족하면 ROM에서 직접 데이터를 읽어 오기 때문에 작업 속도가 느려지는 것이다.
특히 고사양 게임이나 그래픽 프로그램 등을 원활하게 돌리기 위해서는 메모리 용량이 충분해야 한다.
다만, 메모리 용량이 충분한 경우 추가적으로 메모리를 늘린다고 속도가 높아지지는 않으니 주의가 필요하다. 그렇다면 컴퓨터를 사거나 조립컴퓨터 견적을 계획할 메모리 용량은 어느 정도로 맞추는 좋을까? 대체로 사무용이나 인터넷 사용 위주의 컴퓨터 사양에는 4~8GB 정도로도 충분하다. 하지만 배틀그라운드와 같은 고사양 게임을 즐기려면 메모리 용량이 8~16GB 이상은 돼야 원활히 동작하게 된다.
그래픽 제작, 편집 등을 하고자 한다면 16GB 이상의 메모리가 필요하다.

 

휘발성 메모리/비휘발성 메모리

일반적으로 데스크탑 컴퓨터, 노트북 컴퓨터 등에 꽂아 사용하는 메모리는 대부분 휘발성 메모리다
이것은 저장된 정보를 유지하기 위해 전기가 필요한 컴퓨터 메모리를 말한다.
휘발성 메모리는 SRAM DRAM으로 나뉜다.
오늘날 대부분의 RAM 구조가 간단하고 저렴하며 전력 소비가 적은 DRAM이다.
이와는 반대로, 전원이 공급되지 않아도 입력된 정보가 지워지지 않는 메모리를 비휘발성 메모리라고 한다. 최근에는 정보를 영구적으로 저장할 있는 ROM 장점과 정보 입출력이 자유로운 RAM 장점을 혼합한 NVRAM 떠오르고 있다. 이른바 '차세대 메모리'라고도 불리는 NVRAM으로는 MRAM, STT-RAM, PRAM 등이 있다.

 

DIMM

DIMM Dual In-line Memory Module 약자로, 메모리 규격을 나타내는 말이다.
DIMM이라는 이름은 단자가 기판의 양쪽에 자리 잡은 것에서 유래했다. 이전의 SIMM과는 달리, DIMM에는 양쪽에 다른 신호선이 설치돼 있다. DIMM 메모리의 크기와 수에 따라 여러 종류로 나뉜다.
일반적인 DIMM 데스크탑 컴퓨터에 많이 쓰이며, 수는 168, 184, 240개다. SO-DIMM 크기가 DIMM 절반 정도라 노트북 컴퓨터에 많이 쓰이며, 수는 72, 100, 144, 200개다. 이보다 작은 사이즈를 지닌 Micro-DIMM 있다. 규격의 수는 172, 214개다.
이것이 중요한 이유는 메인보드가 구매한 메모리의 규격을 지원하지 않으면 메모리를 장착할 없으므로 낭패다. 따라서 메모리를 추가할 계획이 있다면 컴퓨터가 어떤 규격을 쓰는지, 규격 수는 개나 되는지 반드시 확인해야 한다.

 

메모리 타이밍 (Memory Timing)

메모리 타이밍으로 불리우는 RAM 타이밍은 메모리 내부에 저장된 데이터를 얼마나 빠른 속도로 찾는지를 의미한다. 숫자가 작으면 작을수록 데이터를 검색하는 속도가 빠르다. 다만, 동작 클럭보다는 성능에 미치는 영향이 적으므로 우선적으로는 클럭 수치를 기준으로 제품을 고르는 것이 좋다.
가장 대표적인 메모리 타이밍으로는 CL(CAS Latency) 있다. 이것은 메모리 컨트롤러와 메모리 사이의 응답 시간을 나타낸다. 외에 데이터의 위치를 찾는 시간인 TRCD TRP, 주소를 찾는 명령어의 주기를 나타내는 TRAS 있다.
이상의 메모리 타이밍은 메모리의 스펙이 적힌 스티커를 통해 확인할 있다.
스티커를 보면 10-10-10-25 식으로 개의 숫자열이 나타난 경우가 많다. 대개, 번째 숫자는 CL, e 번째 숫자는 TRCD, 번째 숫자는 TRP, 번째 숫자는 TRAS

 

DDR (Double Data Rate)

DDR Double Data Rate 준말로, 정확히는 DDR SDRAM이라 한다. RAM 외부 클럭의 시작과 종료에 맞춰 데이터를 전송해 전송 속도가 이전의 RAM보다 2배나 높다. 그래서 현재 대부분의 컴퓨터와 스마트폰, 태블릿PC DDR 사용하고 있다.
컴퓨터용 DDR RAM DDR1, DDR2, DDR3, DDR4 등으로 나뉜다
뒤에 붙은 숫자가 높아질 때마다 동작 속도가 2배씩 오른다. 가령, DDR2 DDR1보다 2 정도 빠르며, DDR4 DDR1보다 8 정도 빠르다. DDR 메모리를 사용하려면 규격을 지원하는 메인보드가 필요하다. 예를 들어, DDR3 메인보드에서는 DDR4 메모리를 장착할 없으니 기존에 장착된 메모리 형태를 확인할 필요가 있다.

 

동작 클럭

동작 클럭은 메모리의 속도를 나타낸다. 숫자가 클수록 데이터를 빨리 저장하고 전달한다. 동작 클럭이 높을수록 성능이 좋은 메모리라고 있다.
메모리의 속도는 자체 속도와 CPU와의 데이터 전송률을 모두 고려해 매겨진다.
예를 들면, DDR3 RAM 'DDR3-2133' 같이 표기한다. 여기서 '2133' 등의 숫자는 데이터 전송 속도가 2133Hz임을 의미한다. 이것은 실제 내부 동작 클럭과는 다르다.
참고로 DDR3-2133 내부 동작 클럭은 266MHz. 클럭과 속도를 기준으로 메모리 규격은 JEDEC라는 국제 단체에서 정한다. 개중에는 규격 이외의 메모리 클럭을 지닌 RAM 있는데, 이것은 메모리 제조사가 임의로 클럭을 올려 판매하는 오버클럭 메모리다.

 

XMP (eXtreme Memory Profiles)

XMP eXtreme Memory Profiles 약자로, 인텔이 개발한 메모리 오버클럭 기술이다.
이전에는 메모리의 동작 클럭을 끌어올리기 위해 일일이 수동으로 설정해야 해서 복잡하고 오랜 시간이 소모됐다. XMP 이와 달리 메인보드 BIOS 통해 쉽고 간편하게 메모리와 시스템을 최적화한다.
XMP 통해 메모리를 오버클럭하면 무엇이 좋을까? 우선 동작 클럭이 상승하니 데이터를 저장하는 속도가 빨라진다. 게다가 메모리의 레이턴시(메모리가 다음 명령을 처리할 때까지 걸리는 대기시간) 낮아진다. 메모리 대역폭도 향상돼서 내장 그래픽 성능도 개선할 있다.
XMP 사용하기 위해서는 메모리와 CPU, 메인보드 모두 해당 기능을 지원해야 사용할 있다.
그래서 XMP 기능을 갖춘 메모리를 구매하기에 앞서 자신의 CPU 메인보드가 이를 지원하는지 확인해야 한다. 인텔 홈페이지에서 XMP 지원하는 메모리와 메인보드 리스트를 확인할 있다.


CPU-Z로 내 컴퓨터 주요 부품 성능 확인하기 II


다음은 CPU-Z가 체크한 Mainboard 관련 정보를 확인한다.


[Mainboard 관련 정보]

▶ Mainboard : 메인보드 제조업체와 모델, 칩셋, 사우스 브릿지, I/O 컨트롤러 정보가 나타난다. 
칩셋 항목에 과거에는 노스브릿지 칩셋 정보가 표시되었는데, PHC 칩셋부터 노스브릿지 칩셋 기능이 
CPU 코어에 포함되므로 PCH 칩셋이름에 코어 이름이 출력된다. 
그리고 사우스 브릿지에 PCH 칩셋인 Skylake PCH 칩셋명이 표시된다.
LPCIO는 속도가 느린 키보드, 마우스, 직렬단자, 병렬단자의 입출력을 
컨트롤하는 칩셋 정보가 나타난다.
▶ BIOS : 바이오스 개발사와 버전 및 해당 바이오스 버전이 만들어진 날짜가 표시된다.
▶ Graphic Interface : 버전에 PCI-Express이고, 그래피카드가 연결된 슬롯의 대역폭은 0배속이며, 
최대 0배속(레인)을 지원한다는 것을 알 수 있다.

다음은 Memory 관련 세부 정보이다.


[Memory 관련 정보]

▶ General : 메모리 유형과 채널, 크기, NB (North Bridge) 주파수 정보가 표시된다.
CPU 내부에 메모리 컨트롤러가 제공되므로 내부에서 신호 교환이 이뤄진다.
▶ Timings : DRAM 주파수 1066.5MHz는 실시간 메모리 I/O 클럭으로 듀얼 채널 메모리의 
외부 I/O는 두 배로 동작하므로 1066.5×2≒2133MHz로 동작하는 것을 알 수 있다.
FSB:DRAM 비율은 메모리 배수를 의미한다.
메모리 오버클러킹 시 메모리 배수와 램 타이밍과 관련된 CL, tRCD, tRP, tRAS, Command Rate 값은 
바이오스 셋업 프로그램에서 변경할 수 있다.

다음은 SPD 관련 세부 정보이다.


[SPD 관련 정보]

SPD는 RAM의 메모리 설정 정보를 저장하는 EEPROM으로, SPD 탭에서는 
SPD를 읽어들여 메모리 세부 정보를 나타낸다.
바이오스 셋업 프로그램에서 램 타이밍을 변경하면 그 설정값은 SPD에 저장된다.
▶ Memory Slot Selection : 메모리 슬롯별로 설치된 메모리 모듈크기, 교정 기능(에러 정정 기능), 
최대 대역폭, 레지스터, 제조업체, 부품 번호, SPD 확장 일련 번호와 주/년도(주차 정보)를 확인할 수 있다.
▶ Timing Table : JEDEC(세계반도체표준협회) 규격에 따른 해당 메모리의 동작 속도별 램 타이밍이 
정의되는데 SPD 테이블이라고도 한다. 
메모리 주파수값이 올라갈수록 램 타이밍 간격도 좀 더 커진다.
듀얼 채널을 지원하는 메모리의 속도는 현재 속도(Frequency)에 2를 곱하면 나온다.
일반 메모리로 오버클럭을 할 때는 이 주파수와 램 타이밍 정보를 참고하여 기준 램 타이밍을 
잡고 조금씩 낮춰 가며 램 타이밍을 조절하면 메모리 속도를 좀 더 높일 수 있다.
하단부 Voltage는 메모리의 사용 전압을 표시하고 있다.

 ※ 램 타이밍은 CAS Latency Time (tCL), tRCD, tRP, tRAS, Command Rate 값으로 설정한다.
메모리 제품 라벨에 9-9-9-24 식으로 표기된 것은 tCL-tRCD-tRP-tRAS 타임에 대응된다.
Row Refresh Cycle Time (tRFC)는 메모리 뱅크의 RAS 리프레시 시간이며, 
Command Rate는 다른 메모리 뱅크의 데이터 탐색 대기 간격으로 
둘 다 낮을 수록 빠르다.

나머지 탭(Graphic/Bench/About)는 다음 포스팅에서 다룬다.


CPU-Z로 내 컴퓨터 주요 부품 성능 확인하기 I


CPU-Z는 컴퓨터 케이스를 열지 않고도 부품 정보와 동작 성능을 확인할 수 있기 때문에 오버클러킹뿐만 아니라 

시스템 정보 확인 용도로도 활용할 수 있다.

CPUID에서 만든 CPU-Z는 프리웨어로 제작사 및 검색사이트에서 다운로드할 수 있다.

CPU-Z 설치 프로그램은 자동으로 32비트/64비트 운영체제에 맞게 설치된다.

CPU-Z 프로그램의 정보는 상단의 CPU, Caches, Mainboard, Memory, SPD, Graphic, About 탭으로 구성된다.


다음은 CPU 탭의 세부 내용이다.

[CPU 관련 정보]


▶ Processor : 프로세서와 관련된 정보를 나타낸다. CPU의 이름과 코드 명칭, 

패키지 소켓 타입, 제조 공정, 코어 전압, 

규격 사양, 계열, 모델, 스테핑, 확장 계열, 확장 모델, 수정 버전등의 정보가 나타난다.

유의해야 할 사항은 코어 전압이 "0.660V"로 표시되는데, 이는 CPU가 작업이 없으면 자동으로 전압을 최소화하여 동작하기 때문이다. 명령어(Instructions)에는 CPU 지원 명령어셋이 나오는데, 

64비트 메모리 관리 (EM64T), 가상화 지원 (VT-x), 최신 AES, AVX1/2, FMA3, TSX가 지원되는 것을 알 수 있다.

▶ Clocks (Core #0) : CPU 성능과 관련된 정보를 나타낸다. 멀티 코어 CPU의 경우, 

첫 번째 코어(Core #0)를 기준으로 표시한다. 

현재 스카이레이크 CPU를 오버클러킹하지 않은 기본값 상태의 코어 속도는 1GHz인테, 

이는 CPU 사용량이 많지 않을 때 자동으로 동작 속도를 낮추기 때문이다. 

배수 (Multiplier)는 클럭 배수로 현재 10배수로 작동 중이며, 

버스 속도는 베이스 클럭과 동일한데 현재 100Mz로 동작 중이다.

Rated FSB는 FSB 대역폭인 경우에 표시된다. 

FSB 방식이 아니므로 특정 값이 나타나지 않았다.

하단부에 있는 Selection는 현재 선택된 프로세서와 코어 수, 스레드 수 등이 표시된다.

i5 6600 CPU는 하이퍼스레드 기술로 코어당 두 개의 스레드를 지원한다.

▶ Cache : 캐시와 관련된 정보를 나타낸다.


다음은 Cache 탭의 세부 내용이다.

[CPU 내부 캐시 관련 정보]


▶ L1 D-Cache : 레벨1 데이터 캐시는 코어당 32KB 4조로 전체 128KB이다.

▶ L1 I-Cache : 레벨 1 명령어 캐시도 코어당 32KB 4조로 전체 128KB이다.

▶ L2 Cache : 레벨 3 캐시의 메모리의 명령어와 데이터를 인출하는 레벨 2 캐시는 

코어당 256KB 4조로 전체 1024KB이다.

▶ L3 Cache : 메모리의 명령어와 데이터를 인출하는 공용 캐시인 레벨 3 캐시는 

8MB 크기라는 것을 확인할 수 있다.


Mainboard/Memory/SPD는 다음 포스팅에 소개한다.

메모리의 속도가 서로 다른 것을 장착해서 사용시 문제 발생 가능성이 있는가?


결론적으로 말하자면 문제 발생 가능성은 없다.


메모리 속도가 다른 것을 함께 사용하기


메모리를 업그레이드할 때 가장 고민이 되는 부분은 이전에 사용하던 메모리와 다른 형식의 메모리를 사용해도 

될지의 문제이다.

컴퓨터를 처음 구입할 당시에 비해 메모리 업그레이드를 고려할 시기에는 기술이 발전하여 이전에 비해 현저하게 빨라진 

메모리를 구입하게 되는데 이런 경우에 이전에 사용하던 메모리까지 교체해야 하는지 아님 새로 메모리를 구입하여 

장착만 하면 되는 것인지 판단하기가 모호해진다.

서로 다른 메모리를 같이 사용할 때의 문제점은 다음과 같은 내용으로 고려한다.


1. 속도가 다른 메모리를 같은 메인보드에 장착해서 사용하는 경우

DDR3 10600 메모리와 DDR3 12800 메모리를 같이 사용할 경우 발생할 문제는 ?

큰 문제는 발생하지 않는다. 모든 메모리는 하위 호환이 가능하므로 메인보드에서 동작하는 클록에 맞추어 자동으로 

설정된다.

분명 기존에 사용하던 메모리는 속도가 낮은 10600 클록일 것이므로 12800 클록은 DDR3 10600에 맞추어 동작하게 된다.


      [DDR3 4GHz PC3-10600 (1333MHz)]



                                                       [DDR3 8GHz PC3-12800 (1600MHz)]


다시말해 서로 다른 속도의 메모리를 같이 장착해서 사용할 경우 낮은 메모리 클록에 맞추어 동작한다는 것은 메인보드 

클록에 맞추어지는 것이지 낮은 메모리의 클록에 맞추어지는 것이 아니다.

만약 문제가 발생한다면 BIOS를 통해 메모리 latency 수치를 설정하여 문제를 해결할 수 있다.

단 BIOS에서 메모리 속도를 자동으로 설정했다면 메인보드 동작 클록이 빠른 속도를 가진 메모리에 맞추어질 경우 

하위 메모리에서 문제가 발생할 수 있으므로 속도가 다른 메모리를 사용할 경우에는 BIOS에서 메모리 동작 클록이나 latency 수치를 설정하는 것이 좋다.


2. 제조 업체가 서로 다른 메모리의 사용

같은 속도의 메모리를 사용하더라도 제조 업체가 서로 다른 경우가 있다.

이 경우는 대부분 문제가 발생하지 않는다.

모든 메모리는 JEDEC (Joint Electron Device Engineering Council)에서 제정한 메모리 표준에 의해 만들어 진다.

그러므로 제조 업체가 다른 메모리를 장착해서 사용하더라도 문제가 거의 발생하지 않는다.


제조업체가 다른 메모리의 예를 볼 수 있다.

Kingstone DDR3 4GHz PC3-19200 (2400MHz) vs Mushkin DDR3 16GHz PC3-19200 (2400MHz)


단, 새로운 기술로 만든 메모리가 출시될 때 각 제조 업체 사이에 비호환성으로 인한 문제가 발생할 수 있다.

표준안에 의해 만들어지고 인증을 거친 메모리이므로 제조 업체에 관계없이 문제가 발생하지 않아야 정상이지만 아쉽게도 새로 출시되는 메모리 초기 단계에서는 미세한 기술적 문제와 제조 방법의 차이로 인해 각 업체 사이에 호환성이 

문제가 되는 경우가 있다.

그러므로 새로운 메모리 출시 후 각 업체 사이 호환성이 해결되는 시점까지는 같은 제조 업체에서 만든 메모리를 

사용하는 것이 좋다.

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